ABOUT US
江西譽鴻錦材(cai)料科(ke)技有限(xian)公(gong)司
江西(xi)譽(yu)鴻錦(jin)材(cai)料科技有(you)限(xian)公(gong)司從(cong)事第三代化(hua)合物半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料—氮化(hua)鎵(GaN)系列材(cai)料的(de)(de)開發制造(zao)和(he)(he)(he)應用。二(er)十余年來專(zhuan)注于GaN材(cai)料外(wai)延、電(dian)子器件(jian)(jian)(jian)、光電(dian)器件(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)器件(jian)(jian)(jian)封裝(zhuang)等(deng)(deng)的(de)(de)研發和(he)(he)(he)生產,擁有(you)堅實的(de)(de)理論基礎(chu)和(he)(he)(he)豐(feng)富的(de)(de)實戰經驗,掌(zhang)握氮化(hua)鎵外(wai)延、器件(jian)(jian)(jian)制備和(he)(he)(he)封裝(zhuang)等(deng)(deng)領(ling)域(yu)的(de)(de)核(he)心(xin)技術,本公(gong)司的(de)(de)GaN材(cai)料外(wai)延和(he)(he)(he)器件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)性(xing)能(neng)達到(dao)世界先(xian)進水(shui)平(ping)。公(gong)司的(de)(de)主要產品有(you)高性(xing)能(neng)肖特基二(er)極管勢(shi)壘(SBD)、高電(dian)子遷移(yi)率晶(jing)體(ti)管(HEMT)、射頻(pin)/功率放(fang)大器(RF PA)、深紫(zi)外(wai)發光二(er)極管(UVC-LED)等(deng)(deng),這些產品廣泛用于新能(neng)源汽(qi)車、數據中心(xin)、超算中心(xin)、5G通訊及(ji)殺菌消毒等(deng)(deng)領(ling)域(yu)。江西(xi)譽(yu)鴻錦(jin)材(cai)料科技有(you)限(xian)公(gong)司將致力于實現氮化(hua)鎵電(dian)子器件(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)高端光電(dian)器件(jian)(jian)(jian)領(ling)域(yu)的(de)(de)“中國智造(zao)”!
外延
具有先進的MOCVD外延(yan)設備(bei),可提供:
● 4”/6”/8”英寸硅基/碳化硅基/藍寶石基等氮化鎵外延片;
●650V/900V/1200V各種擊穿電壓規格外延片;
● 5G/6G射頻外延片;
● 耗盡型、pGaN增強型及各種定制結構外延片;
● 外延片厚度2-6微米,不均勻性<土3%; .
● 外延片翹曲< 30微米;
● 外延片2DEG電子濃度> 8E12cm-2;
● 外延片電子遷移率> 1800 cm2/V·s;



芯片
具備(bei)GAN基(ji)的(de)器(qi)件研發及(ji)(ji)生產能力,從(cong)芯片的(de)設(she)計到(dao)加(jia)工已形(xing)(xing)成(cheng)了完(wan)整的(de)體系。GaN的(de)低損(sun)(sun)傷干(gan)法(fa)刻技術(shu);光(guang)學增透膜和高反(fan)射膜的(de)膜系設(she)計及(ji)(ji)制(zhi)備(bei)技術(shu);多層金屬膜的(de)沉淀及(ji)(ji)側壁保護(hu)技術(shu);光(guang)掩膜版的(de)優化設(she)計及(ji)(ji)光(guang)掩膜的(de)斷面成(cheng)型技術(shu);各種(zhong)鈍(dun)化膜的(de)低損(sun)(sun)傷制(zhi)備(bei)及(ji)(ji)圖(tu)形(xing)(xing)化技術(shu);完(wan)整的(de)藍光(guang),高A組分的(de)UVC一LED制(zhi)作技術(shu);GaN基(ji)探測器(qi),激光(guang)器(qi)等器(qi)件制(zhi)作技術(shu);GaN基(ji)的(de)二端和三(san)端器(qi)件的(de)研發和微細加(jia)工技術(shu)。
封裝
領先的集成電路制(zhi)造和技(ji)術服務,提供全方(fang)位的芯片成品(pin)制(zhi)造一站(zhan)式(shi)服務,包括設(she)計仿真、技(ji)術開發、產品(pin)認證(zheng)、晶圓(yuan)中測(ce)(ce)、晶圓(yuan)級中道(dao)封(feng)裝測(ce)(ce)試、系統級封(feng)裝測(ce)(ce)試、芯片成品(pin)測(ce)(ce)試。
·無(wu)機封裝 ·陶瓷封裝 ·金屬封裝
具備(bei)高(gao)集成度(du)的晶圓級封(feng)裝(zhuang)(WLP)、2.5D/3D封(feng)裝(zhuang)、系(xi)統(tong)級封(feng)裝(zhuang)(SiP)、高(gao)性能倒裝(zhuang)芯片封(feng)裝(zhuang)和先進的引線鍵合技術

四大優勢

團隊(dui)優勢
公司擁有(you)(you)第三代半導(dao)體(ti)材(cai)料(GaN)、芯片及器件(jian)研(yan)(yan)發(fa)三十余年(nian)經驗的團隊,其中不僅(jin)有(you)(you)10余位博(bo)士成員,還包括世(shi)界上最(zui)早(zao)從事第三代半導(dao)體(ti)材(cai)料研(yan)(yan)究、外延生長(chang)、器件(jian)設計研(yan)(yan)發(fa)產業化等各方面專(zhuan)家。

研(yan)發優勢
具(ju)備全品類(lei),各(ge)類(lei)襯底(di)上GaN材料生長和流片(pian)能(neng)(neng)(neng)力,目前產能(neng)(neng)(neng)已達到1.5萬(wan)片(pian)/月(yue)(yue),二(er)期建成產能(neng)(neng)(neng)達到25萬(wan)片(pian)/月(yue)(yue),并(bing)在性能(neng)(neng)(neng)和成本上占優勢;

設備優勢
日本大陽日酸株式會社制造的(de)MOCVD設(she)備可以生長高性能氮化(hua)鎵材料; 行業頂(ding)級設(she)備數量(liang)。

銷售優勢
公司實現SBD、HEMT、UVC-LED規(gui)模化量產,已經(jing)與國內大型(xing)通訊設備生產商進(jin)行聯合(he)研發
合作客(ke)戶(hu)
值(zhi)得信賴的合(he)作伙伴,和我們的合(he)作一定能讓您輕(qing)松愉快。








