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2023
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譽鴻錦二期產業園項目順利封頂，Super IDM產業效率革命再加速
作者：
譽管家
11月9日 ，譽鴻錦半導體二期產業園項目廠房舉行主體結構封頂儀式，標志著公司氮化鎵Super IDM 全產業鏈的布局與建設取得重大進展。西咸新區涇河新城管委會領導，江蘇商會代表，參建方代表，譽鴻錦半導體董事長閆懷寶，譽鴻錦總工酒井教授，譽鴻錦全體員工出席了封頂儀式。
譽鴻錦半導體代表在封頂儀式上致辭，他表示，主體結構的封頂，標志著項目建設取得了階段性進展，為后續施工和產業目標的實現奠定了堅實的基礎。同時將和設計方、施工方和監理者們攜手并肩繼續合作，進一步嚴把質量關，加強安全管理，為二期圓滿竣工和順利投產創造有利條件，將項目打造成半導體產業集群。
譽鴻錦半導體產業園項目由江西譽鴻錦芯片科技有限公司投資開發建設，以氮化鎵芯片研發與制造為中心，集成半導體產業鏈上游設備材料、下游終端應用，全面打造Super IDM產業集群。該項目位于江西省撫州市高新技術產業區，總建筑面積約26.2萬㎡。項目于2022年7月正式開工建設，主體結構提前1個月完成里程碑工期，二次結構已提前施工，首條批量線預計于2024年底前建成，月產能為6-7萬片。項目全部建成投產后，每月產能將達到25萬片，屆時將成為全球最大的氮化鎵IDM工廠。
譽鴻錦用1.5年實現了從建廠(一期產業園)到中試線穩定產能1.5萬片，一期產業園同時具備了在行業里數量最多、工序最為齊全的設備產線。二期產業園項目的建成投產，將大規模啟用譽鴻錦自研和國產扶持的半導體設備，如MOCVD、蝕刻機等關鍵設備。目前自研的MOCVD設備已經上線并進入最后的調試階段，經過中試線成熟生產工藝調整，其后續建設、調試和量產的速度會極其迅速，將進一步大幅度降低成本、提高效率。同時譽鴻錦訂購的十多臺光刻機將于明后兩年陸續到貨進廠，也將全部應用于二期產業園的生產線。屆時將會為大家同步最新的設備端消息。
譽鴻錦二期產業園項目的順利封頂，標志著譽鴻錦Super IDM產業效率革命的實現按下“快進鍵”，加速推動氮化鎵器件全面普及。
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