06
2022
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肖特基二極管廠家
作者：
江西譽鴻錦第三代半導體芯片全產業鏈項目由深圳譽鴻錦芯科技合伙企業（有限合伙）投資，主要從事高品質氮化鎵（GaN）電子材料和高端光電材料的MOCVD外延生長及器件流片、模組的研發和生產制造。該材料廣泛用于用于新能源汽車、數據中心、超算中心及5G通訊領域。項目總投資50億元，一期投入9億元，建成后將形成年產能60萬片，年產值30億人民幣規模。二期投入41億元，建成后將形成年產能300萬片，年產值100億人民幣規模，可以拉動上下游千億級產業鏈。江西譽鴻錦技術團隊成員二十余年來專注于GaN電子器件，如射頻/功率肖特基二極管（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）的研發，擁有豐富的工藝經驗，掌握了氮化鎵外延、器件制備和封裝等領域的核心技術，達到世界先進水平。
同時，在UVC-LED和GaN藍綠激光器的研 發和生產上，公司引進日本大陽日酸株式會社MOCVD 設備，由兩位諾獎得主顧問（天野浩和中村修二教 授）、20余位中科院及日本著名企業研究機構著名專 家和具有30余年材料及器件經驗的團隊提供技術支 持。譽鴻錦已具備4-6英寸兼容的氮化鎵電子材料的外 延生產、器件流片及芯片封測能力。 江西譽鴻錦芯片科技有限公司將致力于實現氮化鎵電 子器件和高端光電器件等領域的“中國智造”！
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